GA10JT12-263 - TRANS SJT 1200V 25A

製造業者識別番号

GA10JT12-263

内部部品番号

AX-GA10JT12-263

メーカー

GeneSiC Semiconductor

簡単な説明

TRANS SJT 1200V 25A

RoHSステータス

鉛フリー/ RoHS準拠

納期

1〜2日

利用可能な数量

32480 Pieces

参考価格

~~USD 12.09~~

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仕様 GA10JT12-263

品質保証 : 365日間の保証

在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販

原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

品番 : GA10JT12-263

メーカー : GeneSiC Semiconductor

説明文 : TRANS SJT 1200V 25A

シリーズ : -

部品ステータス : Active

FETタイプ : -

技術 : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 1200V

電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 25A (Tc)

駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : -

Rds On（最大）@ Id、Vgs : 120 mOhm @ 10A

Vgs（th）（最大）@ Id : -

ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : -

Vgs（最大） : -

入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 1403pF @ 800V

FET機能 : -

消費電力（最大） : 170W (Tc)

動作温度 : 175°C (TJ)

取付タイプ : Surface Mount

サプライヤーデバイスパッケージ : -

パッケージ/ケース : -

重量 : -

調子 : 新しい、オリジナル

のドキュメント GA10JT12-263

データシート : GA10JT12-263.pdf

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