GA10JT12-263 データシート
仕様 GA10JT12-263
品番 : GA10JT12-263
メーカー : GeneSiC Semiconductor
説明文 : TRANS SJT 1200V 25A
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : -
技術 : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 1200V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 25A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : -
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 120 mOhm @ 10A
Vgs（th）（最大）@ Id : -
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : -
Vgs（最大） : -
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 1403pF @ 800V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 170W (Tc)
動作温度 : 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : -
パッケージ/ケース : -
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造業者識別番号
内部部品番号
AX-GA10JT12-263
簡単な説明
TRANS SJT 1200V 25A
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
32480 個
参考価格
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