VS-GT400TH120N - IGBT 1200V 600A 2119W DIAP
製造業者識別番号
内部部品番号
簡単な説明
IGBT 1200V 600A 2119W DIAP
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
6224 Pieces
参考価格
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仕様 VS-GT400TH120N
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : VS-GT400TH120N
メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
説明文 : IGBT 1200V 600A 2119W DIAP
シリーズ : -
部品ステータス : Obsolete
IGBTタイプ : Trench
構成 : Half Bridge
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） : 1200V
電流-コレクター（Ic）（最大） : 600A
パワー-最大 : 2119W
Vce（on）（最大）@ Vge、IC : 2.15V @ 15V, 400A
電流-コレクターのカットオフ（最大） : 5mA
入力容量（Cies）@ Vce : 28.8nF @ 25V
入力 : Standard
NTCサーミスタ : No
動作温度 : 150°C (TJ)
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Double INT-A-PAK (3 + 8)
サプライヤーデバイスパッケージ : Double INT-A-PAK
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
のドキュメント VS-GT400TH120N
データシート : VS-GT400TH120N.pdf
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