NCV5701ADR2G - HIGH CURRENT IGBT GATE DR

製造業者識別番号
内部部品番号
メーカー
簡単な説明
HIGH CURRENT IGBT GATE DR
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
523260 Pieces
参考価格
USD 0.59616
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仕様 NCV5701ADR2G

品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : NCV5701ADR2G
メーカー : ON Semiconductor
説明文 : HIGH CURRENT IGBT GATE DR
シリーズ : *
部品ステータス : Active
駆動構成 : -
チャンネルタイプ : -
ドライバー数 : -
門型 : -
電圧-供給 : -
ロジック電圧-VIL、VIH : -
電流-ピーク出力(ソース、シンク) : -
入力方式 : -
ハイサイド電圧-最大(ブートストラップ) : -
立ち上がり/立ち下がり時間(標準) : -
動作温度 : -
取付タイプ : -
パッケージ/ケース : -
サプライヤーデバイスパッケージ : -
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
関連リンク : NCV5 , NCV570

のドキュメント NCV5701ADR2G

データシート : NCV5701ADR2G.pdf

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