M386ABG40M51-CAE - DDR4 LRDIMM 256 GB 8R x 4 3200 Mbps 1.2 V 288 (4H 3DS 16G x 4) x 36 Sample
製造業者識別番号
内部部品番号
簡単な説明
DDR4 LRDIMM 256 GB 8R x 4 3200 Mbps 1.2 V 288 (4H 3DS 16G x 4) x 36 Sample
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
100065 Pieces
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仕様 M386ABG40M51-CAE
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : M386ABG40M51-CAE
メーカー : Samsung Semiconductor
説明文 : DDR4 LRDIMM 256 GB 8R x 4 3200 Mbps 1.2 V 288 (4H 3DS 16G x 4) x 36 Sample
シリーズ : DDR3
DDR : DDR4
DIMMタイプ : LRDIMM
密度 : 256 GB
ランクは、組織をxは。 : 8R x 4
速度 : 3200 Mbps
電圧 : 1.2 V
ピンの番号 : 288
成分組成 : (4H 3DS 16G x 4) x 36
製品ステータス : Sample
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
のドキュメント M386ABG40M51-CAE
データシート : M386ABG40M51-CAE.pdf
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