FDD10N20LZTM - MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK-3

製造業者識別番号
内部部品番号
メーカー
簡単な説明
MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK-3
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
1286360 Pieces
参考価格
USD 0.218106
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仕様 FDD10N20LZTM

品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : FDD10N20LZTM
メーカー : ON Semiconductor
説明文 : MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK-3
シリーズ : UniFET™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 200V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 7.6A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 360 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 16nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 585pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 83W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : DPAK
パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
関連リンク : FDD1 , FDD10N

のドキュメント FDD10N20LZTM

データシート : FDD10N20LZTM.pdf

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