SE10FJHM3/H - DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB

製造業者識別番号
内部部品番号
簡単な説明
DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
5281305 Pieces
参考価格
USD 0.053124
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仕様 SE10FJHM3/H

品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : SE10FJHM3/H
メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
説明文 : DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB
シリーズ : Automotive, AEC-Q101
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 600V
電流-平均整流(Io) : 1A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.05V @ 1A
速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 780ns
電流-Vrでの逆漏れ : 5µA @ 600V
静電容量@ Vr、F : 7.5pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : DO-219AB
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-219AB (SMF)
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 175°C
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
関連リンク : SE1 , SE10F

のドキュメント SE10FJHM3/H

データシート : SE10FJHM3/H.pdf

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