SQM60030E_GE3 - MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK

製造業者識別番号
内部部品番号
メーカー
簡単な説明
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
223725 Pieces
参考価格
USD 1.25403
私たちの価格
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仕様 SQM60030E_GE3

品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : SQM60030E_GE3
メーカー : Vishay Siliconix
説明文 : MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
シリーズ : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 80V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 120A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 3.2 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 165nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 12000pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 375W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : D²PAK (TO-263)
パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
関連リンク : SQM6 , SQM600

のドキュメント SQM60030E_GE3

データシート : SQM60030E_GE3.pdf

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