GP1M010A080N - MOSFET N-CH 900V 10A TO3PN

製造業者識別番号
内部部品番号
簡単な説明
MOSFET N-CH 900V 10A TO3PN
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
20952 Pieces
参考価格
USD 0
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仕様 GP1M010A080N

品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : GP1M010A080N
メーカー : Global Power Technologies Group
説明文 : MOSFET N-CH 900V 10A TO3PN
シリーズ : -
部品ステータス : Obsolete
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 900V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 10A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 1.05 Ohm @ 5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 53nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 2336pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 312W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-3PN
パッケージ/ケース : TO-3P-3, SC-65-3
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
関連リンク : GP1M , GP1M01

のドキュメント GP1M010A080N

データシート : GP1M010A080N.pdf

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