FQD2N80TM_WS - MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK

製造業者識別番号
内部部品番号
メーカー
簡単な説明
MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
66055 Pieces
参考価格
USD 0
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仕様 FQD2N80TM_WS

品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : FQD2N80TM_WS
メーカー : ON Semiconductor
説明文 : MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK
シリーズ : QFET®
部品ステータス : Obsolete
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 800V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 1.8A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 6.3 Ohm @ 900mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 15nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 550pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 2.5W (Ta), 50W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : D-Pak
パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
関連リンク : FQD2 , FQD2N8

のドキュメント FQD2N80TM_WS

データシート : FQD2N80TM_WS.pdf

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