UGB8JT-E3/81 - DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
製造業者識別番号
内部部品番号
AX-UGB8JT-E3/81
簡単な説明
DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
489260 Pieces
参考価格
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仕様 UGB8JT-E3/81
品質保証 :
365日間の保証
在庫リソース :
フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 :
UGB8JT-E3/81
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明文 :
DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
600V
電流-平均整流（Io） :
8A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.75V @ 8A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
50ns
電流-Vrでの逆漏れ :
30µA @ 600V
静電容量@ Vr、F :
-
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-263AB
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 150°C
重量 :
-
調子 :
新しい、オリジナル
のドキュメント UGB8JT-E3/81
データシート :
UGB8JT-E3/81.pdf
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CAP CER 5000PF 14KV SCREW. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 10000PF 16KV SCREW. |
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Vishay Beyschlag |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 5000PF 20KV SCREW. |
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