EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR - IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA
製造業者識別番号
内部部品番号
簡単な説明
IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
46710 Pieces
参考価格
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仕様 EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR
品質保証 :
365日間の保証
在庫リソース :
フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 :
EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR
メーカー :
Micron Technology Inc.
説明文 :
IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
メモリタイプ :
Volatile
メモリフォーマット :
DRAM
技術 :
SDRAM - Mobile LPDDR2
メモリー容量 :
4Gb (128M x 32)
クロック周波数 :
533MHz
書き込みサイクル時間-ワード、ページ :
-
アクセス時間 :
-
メモリインターフェース :
Parallel
電圧-供給 :
1.14V ~ 1.95V
動作温度 :
-40°C ~ 105°C (TC)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
134-WFBGA
サプライヤーデバイスパッケージ :
134-FBGA (10x11.5)
重量 :
-
調子 :
新しい、オリジナル
関連リンク :
EDB4432B , EDB4432BBBJ-
のドキュメント EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR
データシート :
EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR.pdf
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KEMET |
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Vishay Beyschlag |
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Vishay Beyschlag |
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EPCOS (TDK) |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW. |
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Vishay Vitramon |
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