RQ3E180AJTB - MOSFET N-CH 30V 18A HSMR8
製造業者識別番号
内部部品番号
AX-RQ3E180AJTB
メーカー
簡単な説明
MOSFET N-CH 30V 18A HSMR8
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
1153725 Pieces
参考価格
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仕様 RQ3E180AJTB
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : RQ3E180AJTB
メーカー : Rohm Semiconductor
説明文 : MOSFET N-CH 30V 18A HSMR8
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 18A (Ta), 30A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 2.5V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 4.5 mOhm @ 18A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id : 1.5V @ 11mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 39nC @ 4.5V
Vgs（最大） : ±12V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 4290pF @ 15V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 2W (Ta), 30W (Tc)
動作温度 : 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-HSMT (3.2x3)
パッケージ/ケース : 8-PowerVDFN
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
のドキュメント RQ3E180AJTB
データシート : RQ3E180AJTB.pdf
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