SCTW90N65G2V - SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650

製造業者識別番号
内部部品番号
メーカー
簡単な説明
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
12424 Pieces
参考価格
USD 36.09
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仕様 SCTW90N65G2V

品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : SCTW90N65G2V
メーカー : STMicroelectronics
説明文 : SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : SiCFET (Silicon Carbide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 650V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 90A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 18V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 25 mOhm @ 50A, 18V
Vgs(th)(最大)@ Id : 5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 157nC @ 18V
Vgs(最大) : +22V, -10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 3300pF @ 400V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 390W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 200°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : HiP247™
パッケージ/ケース : TO-247-3
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
関連リンク : SCTW , SCTW90

のドキュメント SCTW90N65G2V

データシート : SCTW90N65G2V.pdf

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