BSP300H6327XUSA1 - MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223
製造業者識別番号
内部部品番号
簡単な説明
MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
726095 Pieces
参考価格
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仕様 BSP300H6327XUSA1
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : BSP300H6327XUSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明文 : MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223
シリーズ : SIPMOS®
部品ステータス : Not For New Designs
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 800V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 190mA (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 20 Ohm @ 190mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 4V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : -
Vgs（最大） : ±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 230pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 1.8W (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-SOT223-4
パッケージ/ケース : TO-261-4, TO-261AA
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
のドキュメント BSP300H6327XUSA1
データシート : BSP300H6327XUSA1.pdf
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