IPD35N12S3L24ATMA1 - MOSFET N-CH 120V 35A TO252-3
製造業者識別番号
内部部品番号
簡単な説明
MOSFET N-CH 120V 35A TO252-3
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
801360 Pieces
参考価格
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仕様 IPD35N12S3L24ATMA1
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : IPD35N12S3L24ATMA1
メーカー : Infineon Technologies
説明文 : MOSFET N-CH 120V 35A TO252-3
シリーズ : OptiMOS™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 120V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 35A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 24 mOhm @ 35A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 2.4V @ 39µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 39nC @ 10V
Vgs（最大） : ±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 2700pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 71W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO252-3
パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
のドキュメント IPD35N12S3L24ATMA1
データシート : IPD35N12S3L24ATMA1.pdf
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