CDBGBSC201200-G - DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER

製造業者識別番号
内部部品番号
メーカー
簡単な説明
DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
41328 Pieces
参考価格
USD 8.144388
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仕様 CDBGBSC201200-G

品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : CDBGBSC201200-G
メーカー : Comchip Technology
説明文 : DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオード構成 : 1 Pair Common Cathode
ダイオードタイプ : Silicon Carbide Schottky
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 1200V
電流-平均整流(Io)(ダイオードごと) : 25.9A (DC)
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.8V @ 10A
速度 : No Recovery Time > 500mA (Io)
逆回復時間(trr) : 0ns
電流-Vrでの逆漏れ : 100µA @ 1200V
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 175°C
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : TO-247-3
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-247
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
関連リンク : CDBGB , CDBGBSC

のドキュメント CDBGBSC201200-G

データシート : CDBGBSC201200-G.pdf

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