RQ3E080BNTB - MOSFET N-CH 30V 8A HSMT8

製造業者識別番号
内部部品番号
メーカー
簡単な説明
MOSFET N-CH 30V 8A HSMT8
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
4403075 Pieces
参考価格
USD 0.06372
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仕様 RQ3E080BNTB

品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : RQ3E080BNTB
メーカー : Rohm Semiconductor
説明文 : MOSFET N-CH 30V 8A HSMT8
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 8A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 15.2 mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.5V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 14.5nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 660pF @ 15V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 2W (Ta)
動作温度 : 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-HSMT (3.2x3)
パッケージ/ケース : 8-PowerVDFN
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
関連リンク : RQ3 , RQ3E0

のドキュメント RQ3E080BNTB

データシート : RQ3E080BNTB.pdf

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