SI4435DDY-T1-E3 - MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SOIC
製造業者識別番号
内部部品番号
メーカー
簡単な説明
MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SOIC
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
1451960 Pieces
参考価格
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仕様 SI4435DDY-T1-E3
品質保証 :
365日間の保証
在庫リソース :
フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 :
SI4435DDY-T1-E3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明文 :
MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SOIC
シリーズ :
TrenchFET®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
11.4A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
24 mOhm @ 9.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
50nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1350pF @ 15V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
2.5W (Ta), 5W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-SO
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
重量 :
-
調子 :
新しい、オリジナル
のドキュメント SI4435DDY-T1-E3
データシート :
SI4435DDY-T1-E3.pdf
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