EPC2105ENG - GAN TRANS 2N-CH 80V BUMPED DIE

製造業者識別番号
内部部品番号
メーカー
簡単な説明
GAN TRANS 2N-CH 80V BUMPED DIE
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
28483 Pieces
参考価格
USD 0
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仕様 EPC2105ENG

品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : EPC2105ENG
メーカー : EPC
説明文 : GAN TRANS 2N-CH 80V BUMPED DIE
シリーズ : eGaN®
部品ステータス : Discontinued at Digi-Key
FETタイプ : 2 N-Channel (Half Bridge)
FET機能 : GaNFET (Gallium Nitride)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 80V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 9.5A, 38A
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 14.5 mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.5V @ 2.5mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 2.5nC @ 5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 300pF @ 40V
パワー-最大 : -
動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : Die
サプライヤーデバイスパッケージ : Die
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
関連リンク : EPC , EPC21

のドキュメント EPC2105ENG

データシート : EPC2105ENG.pdf

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