MT41K512M8V80AWC1 - IC DRAM 4G PARALLEL DIE
製造業者識別番号
内部部品番号
簡単な説明
IC DRAM 4G PARALLEL DIE
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
63230 Pieces
参考価格
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仕様 MT41K512M8V80AWC1
品質保証 :
365日間の保証
在庫リソース :
フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 :
MT41K512M8V80AWC1
メーカー :
Micron Technology Inc.
説明文 :
IC DRAM 4G PARALLEL DIE
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
メモリタイプ :
Volatile
メモリフォーマット :
DRAM
技術 :
SDRAM - DDR3L
メモリー容量 :
4Gb (512M x 8)
クロック周波数 :
-
書き込みサイクル時間-ワード、ページ :
-
アクセス時間 :
-
メモリインターフェース :
Parallel
電圧-供給 :
1.283V ~ 1.45V
動作温度 :
0°C ~ 95°C (TC)
取付タイプ :
-
パッケージ/ケース :
-
サプライヤーデバイスパッケージ :
-
重量 :
-
調子 :
新しい、オリジナル
のドキュメント MT41K512M8V80AWC1
データシート :
MT41K512M8V80AWC1.pdf
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 6000PF 16KV SCREW. |
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CAP CER 220PF 100V BP 1805. |
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CAP CER 7500PF 14KV SCREW. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 5000PF 16KV SCREW. |
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