SI7960DP-T1-E3 - MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
製造業者識別番号
内部部品番号
メーカー
簡単な説明
MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
26957 Pieces
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仕様 SI7960DP-T1-E3
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : SI7960DP-T1-E3
メーカー : Vishay Siliconix
説明文 : MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
シリーズ : TrenchFET®
部品ステータス : Obsolete
FETタイプ : 2 N-Channel (Dual)
FET機能 : Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 6.2A
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 21 mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 3V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 75nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : -
パワー-最大 : 1.4W
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : PowerPAK® SO-8 Dual
サプライヤーデバイスパッケージ : PowerPAK® SO-8 Dual
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
のドキュメント SI7960DP-T1-E3
データシート : SI7960DP-T1-E3.pdf
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