1N5809US - DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF
製造業者識別番号
内部部品番号
AX-1N5809US
簡単な説明
DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
49650 Pieces
参考価格
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仕様 1N5809US
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : 1N5809US
メーカー : Microsemi Corporation
説明文 : DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 100V
電流-平均整流（Io） : 3A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 875mV @ 4A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） : 30ns
電流-Vrでの逆漏れ : 5µA @ 100V
静電容量@ Vr、F : 60pF @ 10V, 1MHz
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : SQ-MELF, B
サプライヤーデバイスパッケージ : B, SQ-MELF
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 175°C
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
のドキュメント 1N5809US
データシート : 1N5809US.pdf
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