NDD60N900U1-1G - MOSFET N-CH 600V 5.9A IPAK-4
製造業者識別番号
内部部品番号
メーカー
簡単な説明
MOSFET N-CH 600V 5.9A IPAK-4
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
21832 Pieces
参考価格
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仕様 NDD60N900U1-1G
品質保証 :
365日間の保証
在庫リソース :
フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 :
NDD60N900U1-1G
メーカー :
ON Semiconductor
説明文 :
MOSFET N-CH 600V 5.9A IPAK-4
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
5.7A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
900 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
12nC @ 10V
Vgs（最大） :
±25V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
360pF @ 50V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
74W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
I-PAK
パッケージ/ケース :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
重量 :
-
調子 :
新しい、オリジナル
のドキュメント NDD60N900U1-1G
データシート :
NDD60N900U1-1G.pdf
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