NDD60N900U1-1G - MOSFET N-CH 600V 5.9A IPAK-4
製造業者識別番号
内部部品番号
メーカー
簡単な説明
MOSFET N-CH 600V 5.9A IPAK-4
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
21832 Pieces
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仕様 NDD60N900U1-1G
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : NDD60N900U1-1G
メーカー : ON Semiconductor
説明文 : MOSFET N-CH 600V 5.9A IPAK-4
シリーズ : -
部品ステータス : Obsolete
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 5.7A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 900 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 12nC @ 10V
Vgs（最大） : ±25V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 360pF @ 50V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 74W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : I-PAK
パッケージ/ケース : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
のドキュメント NDD60N900U1-1G
データシート : NDD60N900U1-1G.pdf
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