TK10A60W,S4VX - MOSFET N-CH 600V 9.7A TO-220SIS
製造業者識別番号
内部部品番号
簡単な説明
MOSFET N-CH 600V 9.7A TO-220SIS
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
166995 Pieces
参考価格
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仕様 TK10A60W,S4VX
品質保証 :
365日間の保証
在庫リソース :
フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 :
TK10A60W,S4VX
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明文 :
MOSFET N-CH 600V 9.7A TO-220SIS
シリーズ :
DTMOSIV
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
9.7A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
380 mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3.7V @ 500µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
20nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
700pF @ 300V
FET機能 :
Super Junction
消費電力（最大） :
30W (Tc)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220SIS
パッケージ/ケース :
TO-220-3 Full Pack
重量 :
-
調子 :
新しい、オリジナル
のドキュメント TK10A60W,S4VX
データシート :
TK10A60W,S4VX.pdf
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Vishay Beyschlag |
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