BUK652R1-30C,127 - MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB

製造業者識別番号
内部部品番号
メーカー
簡単な説明
MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
62250 Pieces
参考価格
USD 0
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仕様 BUK652R1-30C,127

品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : BUK652R1-30C,127
メーカー : NXP USA Inc.
説明文 : MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB
シリーズ : TrenchMOS™
部品ステータス : Obsolete
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 120A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 2.4 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.8V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 168nC @ 10V
Vgs(最大) : ±16V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 10918pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 263W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220AB
パッケージ/ケース : TO-220-3
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
関連リンク : BUK65 , BUK652R1

のドキュメント BUK652R1-30C,127

データシート : BUK652R1-30C,127.pdf

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