TPN1110ENH,L1Q - MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON
製造業者識別番号
内部部品番号
簡単な説明
MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
755665 Pieces
参考価格
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仕様 TPN1110ENH,L1Q
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : TPN1110ENH,L1Q
メーカー : Toshiba Semiconductor and Storage
説明文 : MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON
シリーズ : U-MOSVIII-H
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 200V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 7.2A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 114 mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 4V @ 200µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 7nC @ 10V
Vgs（最大） : ±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 600pF @ 100V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 700mW (Ta), 39W (Tc)
動作温度 : 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-TSON Advance (3.3x3.3)
パッケージ/ケース : 8-PowerVDFN
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
のドキュメント TPN1110ENH,L1Q
データシート : TPN1110ENH,L1Q.pdf
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