AS4C8M16D1-5TIN - IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II
製造業者識別番号
内部部品番号
簡単な説明
IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
60965 Pieces
参考価格
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仕様 AS4C8M16D1-5TIN
品質保証 :
365日間の保証
在庫リソース :
フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 :
AS4C8M16D1-5TIN
メーカー :
Alliance Memory, Inc.
説明文 :
IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
メモリタイプ :
Volatile
メモリフォーマット :
DRAM
技術 :
SDRAM - DDR
メモリー容量 :
128Mb (8M x 16)
クロック周波数 :
200MHz
書き込みサイクル時間-ワード、ページ :
15ns
アクセス時間 :
700ps
メモリインターフェース :
Parallel
電圧-供給 :
2.3V ~ 2.7V
動作温度 :
-40°C ~ 85°C (TA)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ :
66-TSOP II
重量 :
-
調子 :
新しい、オリジナル
のドキュメント AS4C8M16D1-5TIN
データシート :
AS4C8M16D1-5TIN.pdf
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| 品番 | ブランド | 説明文 | 購入 |
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Murata Electronics North America |
CAP CER 5.6PF 25V C0G/NP0 01005. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 5000PF 20KV SCREW. |
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|
Murata Electronics North America |
CAP CER 8.1PF 25V NP0 0402. |
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|
Vishay Beyschlag |
CAP CER 5000PF 14KV SCREW. |
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Vishay Beyschlag |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW. |
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Vishay Beyschlag |
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Vishay Beyschlag |
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