VS-GT300YH120N - IGBT 1200V 341A 1042W DIAP

製造業者識別番号
内部部品番号
簡単な説明
IGBT 1200V 341A 1042W DIAP
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
4144 Pieces
参考価格
USD 108.021498
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仕様 VS-GT300YH120N

品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : VS-GT300YH120N
メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
説明文 : IGBT 1200V 341A 1042W DIAP
シリーズ : -
部品ステータス : Active
IGBTタイプ : Trench
構成 : Half Bridge
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 1200V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 341A
パワー-最大 : 1042W
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 2.17V @ 15V, 300A (Typ)
電流-コレクターのカットオフ(最大) : 300µA
入力容量(Cies)@ Vce : 36nF @ 30V
入力 : Standard
NTCサーミスタ : No
動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Double INT-A-PAK (3 + 8)
サプライヤーデバイスパッケージ : Double INT-A-PAK
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
関連リンク : VS-G , VS-GT30

のドキュメント VS-GT300YH120N

データシート : VS-GT300YH120N.pdf

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