CDBJSC8650-G - DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO

製造業者識別番号
内部部品番号
メーカー
簡単な説明
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
258615 Pieces
参考価格
USD 1.08486
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仕様 CDBJSC8650-G

品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : CDBJSC8650-G
メーカー : Comchip Technology
説明文 : DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Silicon Carbide Schottky
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 650V
電流-平均整流(Io) : 8A (DC)
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.7V @ 8A
速度 : No Recovery Time > 500mA (Io)
逆回復時間(trr) : 0ns
電流-Vrでの逆漏れ : 100µA @ 650V
静電容量@ Vr、F : 560pF @ 0V, 1MHz
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : TO-220-2
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220-2
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 175°C
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
関連リンク : CDBJ , CDBJSC

のドキュメント CDBJSC8650-G

データシート : CDBJSC8650-G.pdf

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