PHD34NQ10T,118 - MOSFET N-CH 100V 35A DPAK

製造業者識別番号

PHD34NQ10T,118

内部部品番号

AX-PHD34NQ10T,118

メーカー

NXP USA Inc.

簡単な説明

MOSFET N-CH 100V 35A DPAK

RoHSステータス

鉛フリー/ RoHS準拠

納期

1〜2日

利用可能な数量

24486 Pieces

参考価格

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仕様 PHD34NQ10T,118

品質保証 : 365日間の保証

在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販

原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

品番 : PHD34NQ10T,118

メーカー : NXP USA Inc.

説明文 : MOSFET N-CH 100V 35A DPAK

シリーズ : TrenchMOS™

部品ステータス : Obsolete

FETタイプ : N-Channel

技術 : MOSFET (Metal Oxide)

ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 100V

電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 35A (Tc)

駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V

Rds On（最大）@ Id、Vgs : 40 mOhm @ 17A, 10V

Vgs（th）（最大）@ Id : 4V @ 1mA

ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 40nC @ 10V

Vgs（最大） : ±20V

入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 1704pF @ 25V

FET機能 : -

消費電力（最大） : 136W (Tc)

動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)

取付タイプ : Surface Mount

サプライヤーデバイスパッケージ : DPAK

パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

重量 : -

調子 : 新しい、オリジナル

のドキュメント PHD34NQ10T,118

データシート : PHD34NQ10T,118.pdf

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品番	ブランド	説明文
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