SIJ186DP-T1-GE3 - MOSFET N-CH 60V PPAK SO-8L
製造業者識別番号
内部部品番号
メーカー
簡単な説明
MOSFET N-CH 60V PPAK SO-8L
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
864010 Pieces
参考価格
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仕様 SIJ186DP-T1-GE3
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : SIJ186DP-T1-GE3
メーカー : Vishay Siliconix
説明文 : MOSFET N-CH 60V PPAK SO-8L
シリーズ : TrenchFET® Gen IV
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 23A (Ta), 79.4A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 6V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 4.5 mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 3.6V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 37nC @ 10V
Vgs（最大） : ±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 1710pF @ 30V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 5W (Ta), 57W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PowerPAK® SO-8
パッケージ/ケース : PowerPAK® SO-8
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
のドキュメント SIJ186DP-T1-GE3
データシート : SIJ186DP-T1-GE3.pdf
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