NCP81075DR2G - HIGH PERFORMANCE DUAL MOS
製造業者識別番号
内部部品番号
AX-NCP81075DR2G
メーカー
簡単な説明
HIGH PERFORMANCE DUAL MOS
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
493740 Pieces
参考価格
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仕様 NCP81075DR2G
品質保証 :
365日間の保証
在庫リソース :
フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 :
NCP81075DR2G
メーカー :
ON Semiconductor
説明文 :
HIGH PERFORMANCE DUAL MOS
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
駆動構成 :
High-Side or Low-Side
チャンネルタイプ :
Independent
ドライバー数 :
2
門型 :
N-Channel MOSFET
電圧-供給 :
8.5V ~ 20V
ロジック電圧-VIL、VIH :
0.8V, 2.7V
電流-ピーク出力（ソース、シンク） :
4A, 4A
入力方式 :
Non-Inverting
ハイサイド電圧-最大（ブートストラップ） :
200V
立ち上がり/立ち下がり時間（標準） :
8ns, 7ns
動作温度 :
-40°C ~ 140°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-SOIC
重量 :
-
調子 :
新しい、オリジナル
のドキュメント NCP81075DR2G
データシート :
NCP81075DR2G.pdf
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