PHD22NQ20T,118 - MOSFET N-CH 200V 21.1A DPAK
製造業者識別番号
内部部品番号
メーカー
簡単な説明
MOSFET N-CH 200V 21.1A DPAK
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
24220 Pieces
参考価格
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仕様 PHD22NQ20T,118
品質保証 :
365日間の保証
在庫リソース :
フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 :
PHD22NQ20T,118
メーカー :
NXP USA Inc.
説明文 :
MOSFET N-CH 200V 21.1A DPAK
シリーズ :
TrenchMOS™
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
200V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
21.1A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
120 mOhm @ 12A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
30.8nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1380pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
150W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
DPAK
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
重量 :
-
調子 :
新しい、オリジナル
のドキュメント PHD22NQ20T,118
データシート :
PHD22NQ20T,118.pdf
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