CDBD2SC21200-G - DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
製造業者識別番号
内部部品番号
メーカー
簡単な説明
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
152805 Pieces
参考価格
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仕様 CDBD2SC21200-G
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : CDBD2SC21200-G
メーカー : Comchip Technology
説明文 : DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Silicon Carbide Schottky
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 1200V
電流-平均整流（Io） : 6.2A (DC)
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 1.7V @ 2A
速度 : No Recovery Time > 500mA (Io)
逆回復時間（trr） : 0ns
電流-Vrでの逆漏れ : 100µA @ 1200V
静電容量@ Vr、F : 136pF @ 0V, 1MHz
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-263 (D2Pak)
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 175°C
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
のドキュメント CDBD2SC21200-G
データシート : CDBD2SC21200-G.pdf
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