FQB6N80TM - MOSFET N-CH 800V 5.8A D2PAK

製造業者識別番号
内部部品番号
メーカー
簡単な説明
MOSFET N-CH 800V 5.8A D2PAK
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
332250 Pieces
参考価格
USD 0.844428
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仕様 FQB6N80TM

品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : FQB6N80TM
メーカー : ON Semiconductor
説明文 : MOSFET N-CH 800V 5.8A D2PAK
シリーズ : QFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 800V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 5.8A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 1.95 Ohm @ 2.9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 31nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1500pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 3.13W (Ta), 158W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : D²PAK (TO-263AB)
パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
関連リンク : FQB , FQB6

のドキュメント FQB6N80TM

データシート : FQB6N80TM.pdf

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