FDD86113LZ - MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK-3
製造業者識別番号
内部部品番号
AX-FDD86113LZ
メーカー
簡単な説明
MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK-3
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
799870 Pieces
参考価格
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仕様 FDD86113LZ
品質保証 :
365日間の保証
在庫リソース :
フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 :
FDD86113LZ
メーカー :
ON Semiconductor
説明文 :
MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK-3
シリーズ :
PowerTrench®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
4.2A (Ta), 5.5A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
104 mOhm @ 4.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
6nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
285pF @ 50V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
3.1W (Ta), 29W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
D-PAK (TO-252)
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
重量 :
-
調子 :
新しい、オリジナル
のドキュメント FDD86113LZ
データシート :
FDD86113LZ.pdf
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