IPD65R380E6BTMA1 - MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252

製造業者識別番号
内部部品番号
メーカー
簡単な説明
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
15752 Pieces
参考価格
USD 0
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仕様 IPD65R380E6BTMA1

品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : IPD65R380E6BTMA1
メーカー : Infineon Technologies
説明文 : MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252
シリーズ : CoolMOS™
部品ステータス : Obsolete
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 650V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 10.6A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 380 mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3.5V @ 320µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 39nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 710pF @ 100V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 83W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO252-3
パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
関連リンク : IPD65 , IPD65R38

のドキュメント IPD65R380E6BTMA1

データシート : IPD65R380E6BTMA1.pdf

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