GSID600A120S4B1 - SILICON IGBT MODULES
製造業者識別番号
内部部品番号
簡単な説明
SILICON IGBT MODULES
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
4464 Pieces
参考価格
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仕様 GSID600A120S4B1
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : GSID600A120S4B1
メーカー : Global Power Technologies Group
説明文 : SILICON IGBT MODULES
シリーズ : Amp+™
部品ステータス : Active
IGBTタイプ : -
構成 : Half Bridge
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） : 1200V
電流-コレクター（Ic）（最大） : 1130A
パワー-最大 : 3060W
Vce（on）（最大）@ Vge、IC : 2.1V @ 15V, 600A
電流-コレクターのカットオフ（最大） : 1mA
入力容量（Cies）@ Vce : 51nF @ 25V
入力 : Standard
NTCサーミスタ : Yes
動作温度 : -40°C ~ 150°C
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Module
サプライヤーデバイスパッケージ : Module
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
のドキュメント GSID600A120S4B1
データシート : GSID600A120S4B1.pdf
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