1N8026-GA - DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257

製造業者識別番号

内部部品番号

メーカー

簡単な説明

DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257

RoHSステータス

鉛フリー/ RoHS準拠

納期

1〜2日

利用可能な数量

9368 Pieces

参考価格

~~USD 124.86~~

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品質保証 : 365日間の保証

在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販

原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

品番 : 1N8026-GA

メーカー : GeneSiC Semiconductor

説明文 : DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257

シリーズ : -

部品ステータス : Obsolete

ダイオードタイプ : Silicon Carbide Schottky

電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 1200V

電流-平均整流（Io） : 8A (DC)

電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 1.6V @ 2.5A

速度 : No Recovery Time > 500mA (Io)

逆回復時間（trr） : 0ns

電流-Vrでの逆漏れ : 10µA @ 1200V

静電容量@ Vr、F : 237pF @ 1V, 1MHz

取付タイプ : Through Hole

パッケージ/ケース : TO-257-3

サプライヤーデバイスパッケージ : TO-257

動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 250°C

重量 : -

調子 : 新しい、オリジナル

データシート : 1N8026-GA.pdf