IRFSL23N20D102P - MOSFET N-CH 200V 24A TO-262

製造業者識別番号

IRFSL23N20D102P

内部部品番号

AX-IRFSL23N20D102P

メーカー

Infineon Technologies

簡単な説明

MOSFET N-CH 200V 24A TO-262

RoHSステータス

鉛フリー/ RoHS準拠

納期

1〜2日

利用可能な数量

5232 Pieces

参考価格

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仕様 IRFSL23N20D102P

品質保証 : 365日間の保証

在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販

原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

品番 : IRFSL23N20D102P

メーカー : Infineon Technologies

説明文 : MOSFET N-CH 200V 24A TO-262

シリーズ : HEXFET®

部品ステータス : Obsolete

FETタイプ : N-Channel

技術 : MOSFET (Metal Oxide)

ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 200V

電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 24A (Tc)

駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V

Rds On（最大）@ Id、Vgs : 100 mOhm @ 14A, 10V

Vgs（th）（最大）@ Id : 5.5V @ 250µA

ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 86nC @ 10V

Vgs（最大） : ±30V

入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 1960pF @ 25V

FET機能 : -

消費電力（最大） : 3.8W (Ta), 170W (Tc)

動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)

取付タイプ : Through Hole

サプライヤーデバイスパッケージ : TO-262

パッケージ/ケース : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

重量 : -

調子 : 新しい、オリジナル

のドキュメント IRFSL23N20D102P

データシート : IRFSL23N20D102P.pdf

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