SIR410DP-T1-GE3 - MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8
製造業者識別番号
内部部品番号
メーカー
簡単な説明
MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
979480 Pieces
参考価格
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仕様 SIR410DP-T1-GE3
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : SIR410DP-T1-GE3
メーカー : Vishay Siliconix
説明文 : MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8
シリーズ : TrenchFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 35A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 4.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 2.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 41nC @ 10V
Vgs（最大） : ±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 1600pF @ 10V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 4.2W (Ta), 36W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PowerPAK® SO-8
パッケージ/ケース : PowerPAK® SO-8
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
のドキュメント SIR410DP-T1-GE3
データシート : SIR410DP-T1-GE3.pdf
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