IDB12E120ATMA1 - DIODE GEN PURP 1.2KV 28A TO263-3

製造業者識別番号
内部部品番号
メーカー
簡単な説明
DIODE GEN PURP 1.2KV 28A TO263-3
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
16696 Pieces
参考価格
USD 0
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仕様 IDB12E120ATMA1

品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : IDB12E120ATMA1
メーカー : Infineon Technologies
説明文 : DIODE GEN PURP 1.2KV 28A TO263-3
シリーズ : -
部品ステータス : Obsolete
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 1200V
電流-平均整流(Io) : 28A (DC)
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 2.15V @ 12A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 150ns
電流-Vrでの逆漏れ : 100µA @ 1200V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO263-3-2
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
関連リンク : IDB1 , IDB12E1

のドキュメント IDB12E120ATMA1

データシート : IDB12E120ATMA1.pdf

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