EPC2001C - GANFET TRANS 100V 36A BUMPED DIE
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仕様 EPC2001C
品質保証 :
365日間の保証
在庫リソース :
フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 :
EPC2001C
メーカー :
EPC
説明文 :
GANFET TRANS 100V 36A BUMPED DIE
シリーズ :
eGaN®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
GaNFET (Gallium Nitride)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
36A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
7 mOhm @ 25A, 5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.5V @ 5mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
9nC @ 5V
Vgs（最大） :
+6V, -4V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
900pF @ 50V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
-
動作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
Die Outline (11-Solder Bar)
パッケージ/ケース :
Die
重量 :
-
調子 :
新しい、オリジナル
のドキュメント EPC2001C
データシート :
EPC2001C.pdf
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