PMXB360ENEAZ - MOSFET N-CH 80V 1.1A 3DFN
製造業者識別番号
内部部品番号
AX-PMXB360ENEAZ
メーカー
簡単な説明
MOSFET N-CH 80V 1.1A 3DFN
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
3679620 Pieces
参考価格
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仕様 PMXB360ENEAZ
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : PMXB360ENEAZ
メーカー : Nexperia USA Inc.
説明文 : MOSFET N-CH 80V 1.1A 3DFN
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 80V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 1.1A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 450 mOhm @ 1.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 2.7V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 4.5nC @ 10V
Vgs（最大） : ±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 130pF @ 40V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 400mW (Ta), 6.25W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : DFN1010D-3
パッケージ/ケース : 3-XDFN Exposed Pad
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
のドキュメント PMXB360ENEAZ
データシート : PMXB360ENEAZ.pdf
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