W987D2HBJX6E - IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
製造業者識別番号
内部部品番号
AX-W987D2HBJX6E
メーカー
簡単な説明
IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
214765 Pieces
参考価格
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仕様 W987D2HBJX6E
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : W987D2HBJX6E
メーカー : Winbond Electronics
説明文 : IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
シリーズ : -
部品ステータス : Not For New Designs
メモリタイプ : Volatile
メモリフォーマット : DRAM
技術 : SDRAM - Mobile LPSDR
メモリー容量 : 128Mb (4M x 32)
クロック周波数 : 166MHz
書き込みサイクル時間-ワード、ページ : 15ns
アクセス時間 : 5.4ns
メモリインターフェース : Parallel
電圧-供給 : 1.7V ~ 1.95V
動作温度 : -25°C ~ 85°C (TC)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 90-TFBGA
サプライヤーデバイスパッケージ : 90-VFBGA (8x13)
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
のドキュメント W987D2HBJX6E
データシート : W987D2HBJX6E.pdf
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| AVX Corporation | CAP CER 1UF 6.3V X6S 0402. Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 16V 2.2uF 0805 5% X7R |