IRF200B211 - MOSFET N-CH 200V 12A TO-220AB

製造業者識別番号
内部部品番号
メーカー
簡単な説明
MOSFET N-CH 200V 12A TO-220AB
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
403105 Pieces
参考価格
USD 0.696
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仕様 IRF200B211

品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : IRF200B211
メーカー : Infineon Technologies
説明文 : MOSFET N-CH 200V 12A TO-220AB
シリーズ : HEXFET®, StrongIRFET™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 200V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 12A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 170 mOhm @ 7.2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4.9V @ 50µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 23nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 790pF @ 50V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 80W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220AB
パッケージ/ケース : TO-220-3
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
関連リンク : IRF , IRF20

のドキュメント IRF200B211

データシート : IRF200B211.pdf

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