IRF1902GTRPBF - MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SOIC
製造業者識別番号
内部部品番号
簡単な説明
MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SOIC
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
15936 Pieces
参考価格
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仕様 IRF1902GTRPBF
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : IRF1902GTRPBF
メーカー : Infineon Technologies
説明文 : MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SOIC
シリーズ : HEXFET®
部品ステータス : Obsolete
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 4.2A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : -
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 85 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id : 700mV @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 7.5nC @ 4.5V
Vgs（最大） : -
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 310pF @ 15V
FET機能 : -
消費電力（最大） : -
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-SO
パッケージ/ケース : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
のドキュメント IRF1902GTRPBF
データシート : IRF1902GTRPBF.pdf
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