IXFT12N100F - MOSFET N-CH 1000V 12A TO268
製造業者識別番号
内部部品番号
AX-IXFT12N100F
メーカー
簡単な説明
MOSFET N-CH 1000V 12A TO268
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
46752 Pieces
参考価格
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仕様 IXFT12N100F
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : IXFT12N100F
メーカー : IXYS-RF
説明文 : MOSFET N-CH 1000V 12A TO268
シリーズ : HiPerRF™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 1000V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 12A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 1.05 Ohm @ 6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 5.5V @ 4mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 77nC @ 10V
Vgs（最大） : ±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 2700pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 300W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-268 (IXFT)
パッケージ/ケース : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
のドキュメント IXFT12N100F
データシート : IXFT12N100F.pdf
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