IRFH5220TRPBF - MOSFET N-CH 200V 3.8A PQFN
製造業者識別番号
内部部品番号
簡単な説明
MOSFET N-CH 200V 3.8A PQFN
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
17464 Pieces
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仕様 IRFH5220TRPBF
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : IRFH5220TRPBF
メーカー : Infineon Technologies
説明文 : MOSFET N-CH 200V 3.8A PQFN
シリーズ : HEXFET®
部品ステータス : Obsolete
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 200V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 3.8A (Ta), 20A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 99.9 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 5V @ 100µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 30nC @ 10V
Vgs（最大） : ±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 1380pF @ 50V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 3.6W (Ta), 8.3W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PQFN (5x6)
パッケージ/ケース : 8-VQFN Exposed Pad
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
のドキュメント IRFH5220TRPBF
データシート : IRFH5220TRPBF.pdf
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